5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3600-01SJ
2SK3600-01SJ PDF预览

2SK3600-01SJ

更新时间： 2024-11-15 04:26:31
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 250K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3600-01SJ 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
雪崩能效等级（Eas）：227 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.062 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3600-01SJ 数据手册

 浏览型号2SK3600-01SJ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3600-01SJ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3600-01SJ的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3600-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
P4  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
100  
Unit  
V
Drain-source voltage  
V
VDSX *5  
ID  
70  
±29  
±116  
±30  
29  
Equivalent circuit schematic  
A
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
A
ID(puls]  
VGS  
V
Drain(D)  
A
Non-repetitive Avalanche current IAS *2  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
EAS *1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
155.8  
20  
5
Gate(G)  
°C  
°C  
1.67  
Source(S)  
105  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Tstg  
<
*1 L=222µH, Vcc=48V, Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph  
*2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*5 VGS=-30V  
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C *4 VDS 100V  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
100  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=100V VGS=0V  
VDS=80V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
62  
VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
VGS=±30V  
nA  
10  
47  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=10A VGS=10V  
mΩ  
S
6
12  
ID=10A VDS=25V  
VDS=75V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
730  
190  
12  
1095  
285  
18  
pF  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=48V ID=10A  
12  
18  
3.8  
23  
8.5  
6
VGS=10V  
35  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
13  
22  
9
33  
VCC=50V  
ID=20A  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
13.5  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
6
9
VGS=10V  
µ
29  
L=222 H Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.10  
65  
0.17  
1.65  
IF=20A VGS=0V Tch=25°C  
IF=20A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
VSD  
V
trr  
Qrr  
ns  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.191  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与2SK3600-01SJ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3601-01 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3601-01_03 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3602-01 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3603-01MR FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3604-01L FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3604-01S FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3604-01SJ FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3605-01 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3606-01 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3606-01_03 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

与2SK3600-01SJ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证