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2SK3590-01

更新时间: 2024-02-24 05:49:48
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

2SK3590-01 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220AB, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.75
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):387 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.041 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):135 W最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK3590-01 数据手册

 浏览型号2SK3590-01的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3590-01的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3590-01的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3590-01  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
EAS=f(starting Tch):Vcc=48V  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
IAS=23A  
IAS=35A  
IAS=57A  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
starting Tch [°C]  
Tc [°C]  
Typical Transfer Characteristic  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80µs Pulse test,Tch=25°C  
ID=f(VGS):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
160  
120  
80  
40  
0
20V  
10V  
100  
10  
1
8V  
7.5V  
7.0V  
6.5V  
6.0V  
0.1  
VGS=5.5V  
0
2
4
6
8
10  
12  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VDS [V]  
VGS[V]  
Typical Transconductance  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
gfs=f(ID):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
RDS(on)=f(ID):80µs Pulse test, Tch=25°C  
100  
10  
1
0.15  
0.12  
0.09  
0.06  
0.03  
0.00  
VGS=  
5.5V  
6.0V  
6.5V  
7.0V  
7.5V  
8V  
10V  
20V  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0
40  
80  
120  
160  
ID [A]  
ID [A]  
2

2SK3590-01 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK3590-01 FUJI

当前型号

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK2943 ALLEGRO

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