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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.07 | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK359DRF | HITACHI | 暂无描述 |
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| 2SK359DRF | RENESAS | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, TO-92(2), 3 PIN |
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| 2SK359DRR | HITACHI | 暂无描述 |
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| 2SK359E | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | TO-92 |
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| 2SK359-E | RENESAS | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| 2SK359ERF | HITACHI | 暂无描述 |
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