生命周期: | Transferred | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.07 | 配置: | SINGLE |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.03 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.03 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK359DRF | HITACHI | 暂无描述 |
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2SK359DRF | RENESAS | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, TO-92(2), 3 PIN |
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2SK359DRR | HITACHI | 暂无描述 |
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2SK359E | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | TO-92 |
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2SK359-E | RENESAS | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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2SK359ERF | HITACHI | 暂无描述 |
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