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2SK3475

更新时间： 2024-11-11 22:52:59

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东芝 - TOSHIBA		放大器
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4页	112K
描述
VHF-and UHF-band Amplifier Applications

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2SK3475 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-62	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最小功率增益 (Gp)：	14.9 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

2SK3475 数据手册

2SK3475

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

2SK3475

VHF- and UHF-band Amplifier Applications

Unit: mm

Output power: P = 630 mW (min)

Gain: G = 14.9dB (min)

Drain efficiency: η = 45% (min)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gain-source voltage

Drain current

DSS

±5

GSS

Power dissipation

(Note 1)

°C

Channel temperature

Storage temperature range

150

−45~150

stg

Note 1: Tc = 25°C (When mounted on a 1.6 mm glass epoxy PCB)

JEDEC

JEITA

―

SC-62

Marking

TOSHIBA

2-5K1D

Type name

W B

1. Gate

2. Source

3. Drain

Caution

Please take care to avoid generating static electricity when handling this transistor.

2002-01-09

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