2SK3476

更新时间： 2024-09-23 22:52:59

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东芝 - TOSHIBA		晶体射频场效应晶体管放大器
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描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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2SK3476 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	2-5N1A, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-XQFP-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	QUAD
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3476 数据手册

2SK3476

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

2SK3476

VHF- and UHF-band Amplifier Applications

Unit: mm

Output power: P = 7.0 W (min)

Gain: G = 11.4dB (min)

Drain efficiency: η = 60% (min)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gain-source voltage

Drain current

±5

DSS

GSS

Power dissipation

(Note 1)

°C

Channel temperature

Storage temperature range

150

−45~150

stg

Note 1: Tc = 25°C (When mounted on a 1.6 mm glass epoxy PCB)

JEDEC

JEITA

―

Marking

TOSHIBA

2-5N1A

Type name

Dot

Lo No.

1. Gate

2. Source (heat sink)

3. Drain

Caution

Please take care to avoid generating static electricity when handling this transistor.

2002-01-09

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