2SK3479-AZ

更新时间： 2024-11-12 13:02:07

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	78K
描述
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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2SK3479-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.14
雪崩能效等级（Eas）：	422 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	83 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3479-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3479

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3479

The 2SK3479 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3479-S

FEATURES

2SK3479-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 11 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 42 A)

R^DS(on)2= 13 mΩ MAX. (V^GS= 4.5 V, I^D= 42 A)

• Low C^iss: C^iss= 11000 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

2SK3479-Z

TO-220SMD^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

100

±20

±83

±332

125

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

(TO-262)

P^T2

1.5

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

422

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

(TO-263, TO-220SMD)

2. Starting T^ch= 25°C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

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Document No.

Date Published July 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D15077EJ1V0DS00 (1st edition)

2000, 2001

12 3 4 5 6 7 8

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