Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3480-ZJ-AZ

2SK3480-ZJ-AZ

更新时间： 2024-11-12 12:59:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	79K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN

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2SK3480-ZJ-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	116 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3480-ZJ-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3480

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3480

The 2SK3480 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3480-S

FEATURES

2SK3480-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 31 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 25 A)

R^DS(on)2= 36 mΩ MAX. (V^GS= 4.5 V, I^D= 25 A)

• Low C^iss: C^iss= 3600 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

2SK3480-Z

TO-220SMD^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

100

±20

±50

±100

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

(TO-262)

P^T2

1.5

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

116

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

(TO-263, TO-220SMD)

2. Starting T^ch= 25°C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

R^th(ch-C)

R^th(ch-A)

1.48

83.3

°C/W

Channel to Ambient

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

2001

Document No.

Date Published December 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D15078EJ1V0DS00 (1st edition)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3480-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3480-ZJ-E1-AZ
2SK3480-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3480-ZJ-E2-AZ
2SK3481	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3481	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3481	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 m MAX. Built-in gate protection diode
2SK3481-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3481-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3481-S-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3481-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3481-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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