2SK3481-AZ

更新时间： 2024-09-24 13:04:27

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	78K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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2SK3481-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	68 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.058 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3481-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3481

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3481

The 2SK3481 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3481-S

FEATURES

2SK3481-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

2SK3481-Z

TO-220SMD^Note

DS(on)1

= 50 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 15 A)

Note TO-220SMD package is produced only

DS(on)2

= 58 mΩ MAX. (V = 4.5 V, I = 15 A)

in Japan.

iss

• Low C : C = 2300 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

100

±20

GSS

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

D(DC)

Drain Current (DC) (T = 25°C)

±30

Drain Current (pulse) ^Note1

D(pulse)

±60

Total Power Dissipation (T = 25°C)

(TO-262)

Total Power Dissipation (T = 25°C)

1.5

Channel Temperature

150

°C

stg

Storage Temperature

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

(TO-263, TO-220SMD)

2. Starting T = 25°C, V = 50 V, R = 25 Ω, V = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

R^th(ch-C)

R^th(ch-A)

2.23

83.3

°C/W

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

2002

Document No.

Date Published January 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D15063EJ1V0DS00 (1st edition)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3481-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3481-S-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3481-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3481-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3481-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3481-ZJ-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3482	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3482	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3482	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 33m MAX.Low Ciss: Ciss = 3600 pF TYP.
2SK3482-AZ	NEC	获取价格	暂无描述

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