2SK3483-Z

更新时间： 2024-11-11 22:52:59

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关
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8页	165K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3483-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-252, MP-3Z, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	28 A
最大漏源导通电阻：	0.059 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3483-Z 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3483

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SK3483 is N-channel MOS Field Effect Transistor

PART NUMBER

PACKAGE

designed for high current switching applications.

2SK3483

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SK3483-Z

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 52 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A)

R^DS(on)2= 59 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A)

• Low C^iss: Ciss = 2300 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-251)

(TO-252)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0V)

Drain Current (DC)

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

100

±20

±28

Drain Current (Pulse) ^Note1

±60

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (TA = 25°C)

Channel Temperature

°C

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

62.5

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

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sales representative for availability and additional information.

Document No. D15068EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3483-Z-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3483-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power MOSFET 100V 28A 52mohm
2SK3483-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power MOSFET 100V 28A 52mohm
2SK3483-ZK-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power MOSFET 100V 28A 52mohm
2SK3484	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3484	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3484	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 125m MAX Low Ciss: Ciss = 900 pF TYP.
2SK3484-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3484-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3485	SANYO	获取价格	Ultrahigh-Speed Switching Applications

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