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2SK3484-AZ

更新时间： 2024-09-24 19:16:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	144K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, TO-251, MP-3, 3 PIN

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2SK3484-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.16
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.148 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3484-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3484

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SK3484 is N-channel MOS Field Effect Transistor

PART NUMBER

PACKAGE

designed for high current switching applications.

2SK3484

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SK3484-Z

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 125 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A)

R^DS(on)2= 148 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8 A)

• Low C^iss: Ciss = 900 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-251)

(TO-252)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (TC = 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

100

±20

±16

±22

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (TA = 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

EAS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 50 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

4.17

125

°C/W

Channel to Ambient Thermal Resistance

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D15069EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2002

12 3 4 5 6 7 8

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