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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SC-64 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 113 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3498(2-7B1B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 450 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET Ge |
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| 2SK3498(2-7J1B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 450 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7J1B, 3 PIN, FET General P |
|
| 2SK3498(TE16L1) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK3498(TE16L1,Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK3498_06 | TOSHIBA |
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Silicon N-Channel MOS Type DC/DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SK3499 | TOSHIBA |
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Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications |
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| 2SK3499_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator and DC-DC Converter Applications |
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| 2SK3499_10 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator and DC-DC Converter Applications |
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| 2SK350 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK3501-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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