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2SK3506

更新时间： 2024-09-23 22:52:59
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 158K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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2SK3506 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-65包装说明：2-16C1B, SC-65, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.38雪崩能效等级（Eas）：220 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：135 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3506 数据手册

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2SK3506  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)  
2SK3506  
Relay Drive and DC-DC Converter Applications  
Motor Drive Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
= 16 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 26 S (typ.)  
fs  
= 100 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= 30 V)  
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
DSS  
Enhancement-model: V = 1.5 to 3.0 V (V  
th DS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
30  
30  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kW)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
±20  
45  
DC (Note 1)  
Pulse (Note 1)  
I
D
Drain current  
A
I
135  
100  
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
SC-65  
2-16C1B  
E
220  
mJ  
(Note 2)  
TOSHIBA  
Avalanche current  
I
45  
10  
A
Weight: 4.6 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55 to150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
1.25  
50  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 25 V, T = 25°C (initial), L = 78 mH, I = 45 A, R = 25 W  
DD ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2002-09-04  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3506_06 TOSHIBA

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