5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220 |
| 包装说明： | MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.3 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 83 A | 最大漏极电流 (ID)： | 83 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0125 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 260 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3511-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR |
|
| 2SK3511-ZJ | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 2SK3511-ZJ-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 2SK3512 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3512-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3512-01S | FUJI |
获取价格 |
MOSFETs |
|
| 2SK3512-01SJ | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK3512-S | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3512-SJ | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK3513-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
