2SK3510

更新时间： 2024-09-23 22:52:59

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3510 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	450 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	83 A	最大漏源导通电阻：	0.0085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3510 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3510

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3510

The 2SK3510 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3510-S

FEATURES

2SK3510-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)= 8.5 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 42 A)

• Low C^iss: C^iss= 8500 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

2SK3510-Z

TO-220SMD^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±20

±83

±332

125

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

P^T2

1.5

(TO-262)

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

450

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 35 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

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Document No.

Date Published May 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D15687EJ1V0DS00 (1st edition)

2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3510-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3510-S-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3510-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3510-Z-AZ	RENESAS	获取价格	83A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN
2SK3510-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR
2SK3510-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3510-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	83A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN
2SK3510-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3510-ZJ-E2-AZ
2SK3511	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on) = 12.5 m MAX Built-in gate protection diode
2SK3511	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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