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2SK3512-SJ

更新时间： 2024-09-23 22:52:59
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富士电机 - FUJI /
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4页 127K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3512-SJ 数据手册

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2SK3512-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
P4  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
500  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
Equivalent circuit schematic  
A
ID  
±12  
±48  
±30  
12  
A
ID(puls]  
VGS  
V
Drain(D)  
A
IAR *2  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
EAS*1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
217  
20  
5
Gate(G)  
°C  
°C  
1.67  
Source(S)  
95  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
<
Tstg  
<
<
<
*3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C  
*1 L=2.77mH, Vcc=50V *2 Tch=150°C  
<
*4VDS=500V  
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
ID=250 A  
VGS=0V  
500  
V
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
3.0  
5.0  
µA  
25  
VDS=500V VGS=0V  
VDS=400V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
VGS=±30V  
VDS=0V  
10  
100  
ID=6A VGS=10V  
ID=6A VDS=25V  
VDS=25V  
Ω
S
0.40  
0.52  
5.5  
11  
1200  
140  
Ciss  
pF  
1800  
210  
9.0  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
6.0  
f=1MHz  
VCC=300V ID=6A  
ns  
17  
15  
34  
7
26  
23  
51  
11  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
30  
11  
10  
45  
16.5  
15  
VCC=250V  
ID=12A  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
12  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=2.77mH Tch=25°C  
VSD  
trr  
Qrr  
1.00  
1.50  
V
IF=12A VGS=0V Tch=25°C  
IF=12A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
0.7  
4.5  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.32  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
1
1234

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