2SK3511-ZJ

更新时间： 2024-09-23 22:10:43

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	87K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3511-ZJ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.3	雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (ID)：	83 A
最大漏源导通电阻：	0.0125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3511-ZJ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3511

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3511

DESCRIPTION

The 2SK3511 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3511-S

FEATURES

2SK3511-ZJ

TO-263

TO-220SMD ^Note

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)= 12.5 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 42 A)

• Low C^iss: C^iss= 5900 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

2SK3511-Z

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

±83

±260

100

1.5

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

(TO-262)

P^T

T^ch

150

°C

Storage Temperature

T^stg

I^AS

–55 to +150

°C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

250

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 35 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

R^th(ch-C)

1.25

83.3

°C/W

R^th(ch-A)

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published May 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D15617EJ1V0DS00 (1st edition)

2001

12 3 4 5 6 7 8

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