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2SK3480-AZ

更新时间： 2024-11-09 19:54:27

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	78K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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2SK3480-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	MP-25	包装说明：	MP-25, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	5.13
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	919849	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	TO-220AB (MP-25)-1	Samacsys Released Date：	2019-11-30 13:15:24
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	116 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.036 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	84 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3480-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3480

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3480

The 2SK3480 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3480-S

FEATURES

2SK3480-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 31 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 25 A)

R^DS(on)2= 36 mΩ MAX. (V^GS= 4.5 V, I^D= 25 A)

• Low C^iss: C^iss= 3600 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

2SK3480-Z

TO-220SMD^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

100

±20

±50

±100

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

(TO-262)

P^T2

1.5

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

116

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

(TO-263, TO-220SMD)

2. Starting T^ch= 25°C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

R^th(ch-C)

R^th(ch-A)

1.48

83.3

°C/W

Channel to Ambient

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

2001

Document No.

Date Published December 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D15078EJ1V0DS00 (1st edition)

12 3 4 5 6 7 8

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2SK3480-AZ 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLZ34PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRLZ34	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与2SK3480-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3480-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3480-S12-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power MOSFET 100V 50A 31mohm MP-25/TO-220AB
2SK3480-S-AZ	RENESAS	获取价格	50A, 100V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, FIN CUT, MP-25, 3 PIN
2SK3480-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3480-Z-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power MOSFET 100V 50A 31mohm MP-25Z/TO-220SMD
2SK3480-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power MOSFET 100V 50A 31mohm MP-25Z/TO-220SMD
2SK3480-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,50A I(D),TO-263ABVAR
2SK3480-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3480-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN
2SK3480-ZJ-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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