5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MP-25 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.28 | 雪崩能效等级（Eas）： | 78 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 48 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 48 A | 最大漏源导通电阻： | 0.031 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 56 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3434-S | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK3434-S-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK3434-Z | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK3434-Z-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK3434-Z-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Nch Single Power Mosfet 60V 48A 0.02Mohm Mp-25Z/To-220Smd, MP-25Z, /Embossed Tape |
|
| 2SK3434-ZJ | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-263AB |
|
| 2SK3434-ZJ | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| 2SK3434-ZJ-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK3434-ZJ-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Nch Single Power Mosfet 60V 48A 20Mohm, MP-25ZJ, /Embossed Tape |
|
| 2SK3435 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
