2SK3430-Z

更新时间： 2024-11-17 22:52:59

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3430-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.31	雪崩能效等级（Eas）：	137 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.015 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3430-Z 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3430

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3430

The 2SK3430 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3430-S

FEATURES

2SK3430-Z

TO-220SMD

• Super low on-state resistance:

★

DS(on)1

= 7.3 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 40 A)

(TO-220AB)

DS(on)2

= 15 mΩ MAX. (V = 4 V, I = 40 A)

iss

• Low C : C = 2800 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

(TO-262)

±80

Note1

Drain Current (pulse)

±200

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T

1.5

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Note2

★

Single Avalanche Current

I^AS

Note2

Single Avalanche Energy

E^AS

137

(TO-220SMD)

Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

1.49

83.3

°C/W

Channel to Ambient

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The mark ★ shows major revised points.

Document No.

Date Published March 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14599EJ1V0DS00 (1st edition)

1999,2000

12 3 4

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与2SK3430-Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3430-Z-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3430-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 40V 80A 7.3Mohm Mp-25Z/To-220Smd, MP-25Z, /Embossed Tape
2SK3430-ZJ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 80A I(D) \| TO-263AB
2SK3430-ZJ	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
2SK3430-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3430-ZJ-AZ
2SK3430-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3430-ZJ-E2-AZ
2SK3431	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3431	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3431	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 5.6m MAX. (VGS= 10 V, ID = 42 A)
2SK3431-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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