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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MP-25Z | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.43 | 雪崩能效等级（Eas）： | 423 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 83 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 83 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0089 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 332 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3431-Z-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Nch Single Power Mosfet 40V 83A 0.0056Mohm Mp-25Z/To-220Smd, MP-25Z, /Embossed Tape |
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| 2SK3431-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SK3431-ZJ | RENESAS |
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83A, 40V, 0.0089ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| 2SK3431-ZJ-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK3431-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3431-ZJ-E1-AZ |
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| 2SK3431-ZJ-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3431-ZJ-E2-AZ |
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| 2SK3432 | TYSEMI |
获取价格 |
Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 4.0m MAX. (VGS= 10 V, ID = 42 A) |
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| 2SK3432 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3432 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3432-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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