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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.17 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 423 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 83 A | 最大漏极电流 (ID)： | 83 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0089 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 332 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3431-ZJ-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2SK3431-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
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2SK3431-ZJ-E1-AZ |
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| 2SK3431-ZJ-E2-AZ | RENESAS |
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2SK3431-ZJ-E2-AZ |
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| 2SK3432 | TYSEMI |
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Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 4.0m MAX. (VGS= 10 V, ID = 42 A) |
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| 2SK3432 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3432 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3432-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 2SK3432-S | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3432-S-AZ | NEC |
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暂无描述 |
|
| 2SK3432-Z | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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