Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3431-ZJ-AZ

2SK3431-ZJ-AZ

更新时间： 2024-11-18 13:04:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN

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2SK3431-ZJ-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.17
雪崩能效等级（Eas）：	423 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	83 A	最大漏源导通电阻：	0.0089 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3431-ZJ-AZ 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3431

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3431

The 2SK3431 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3431-S

FEATURES

2SK3431-Z

TO-220SMD

• Super low on-state resistance:

DS(on)1

= 5.6 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 42 A)

(TO-220AB)

★

DS(on)2

= 8.9 mΩ MAX. (V = 4 V, I = 42 A)

iss

• Low C : C = 6100 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

(TO-262)

±83

Note1

Drain Current (pulse)

±332

100

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T

1.5

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Note2

★

Single Avalanche Current

I^AS

Note2

Single Avalanche Energy

E^AS

423

(TO-220SMD)

Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

1.25

83.3

°C/W

Channel to Ambient

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published March 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14600EJ1V0DS00 (1st edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999, 2000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3431-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3431-ZJ-E1-AZ
2SK3431-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3431-ZJ-E2-AZ
2SK3432	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 4.0m MAX. (VGS= 10 V, ID = 42 A)
2SK3432	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3432	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3432-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3432-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3432-S-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3432-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3432-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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