2SK3432

更新时间： 2024-11-17 22:52:59

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3432 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	476 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	83 A	最大漏源导通电阻：	0.0069 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3432 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3432

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3432

The 2SK3432 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3432-S

FEATURES

2SK3432-Z

TO-220SMD

• Super low on-state resistance:

★

DS(on)1

= 4.0 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 42 A)

(TO-220AB)

DS(on)2

= 6.9 mΩ MAX. (V = 4 V, I = 42 A)

iss

• Low C : C = 9500 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

Gate to Source Voltage

(TO-262)

Drain Current (DC)

±83

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

±332

100

°C

P^T

1.5

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

★

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

476

(TO-220SMD)

Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

1.25

83.3

°C/W

Channel to Ambient

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

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Document No.

Date Published March 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14601EJ1V0DS00 (1st edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999, 2000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3432-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3432-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3432-S-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3432-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3432-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3432-ZJ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 83A I(D) \| TO-263AB
2SK3432-ZJ-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3433	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3433	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3433	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 26m MAX. (VGS= 10 V, ID = 42 A)

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