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2SK3433-ZJ-AZ

更新时间： 2024-11-20 20:38:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	78K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN

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2SK3433-ZJ-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.16
雪崩能效等级（Eas）：	44 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.041 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3433-ZJ-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3433

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3433 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PART NUMBER

2SK3433

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3433-S

2SK3433-ZJ

2SK3433-Z

FEATURES

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 26 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 20 A)

R^DS(on)2= 41 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 20 A)

• Low C^iss: C^iss= 1500 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

TO-220SMD^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

±40

±80

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

P^T

1.5

(TO-262)

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

(TO-263, TO-220SMD)

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14602EJ4V0DS00 (4th edition)

1999, 2001

The mark ★ shows major revised points.

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3433-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3433-ZJ-E2-AZ
2SK3434	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3434	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 20m MAX. (VGS= 10 V, ID = 24A)
2SK3434	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3434(0)-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3434(0)-S-AZ
2SK3434(0)-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3434(0)-ZJ-AZ
2SK3434(0)-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3434(0)-ZJ-E1-AZ
2SK3434(0)-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3434(0)-ZJ-E2-AZ
2SK3434-AZ	RENESAS	获取价格	Power MOSFETs for Automotive, MP-25, /
2SK3434-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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