2SK3431-Z

更新时间： 2024-10-13 22:52:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3431-Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-220SMD, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	423 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	83 A
最大漏源导通电阻：	0.0089 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3431-Z 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3431

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3431

The 2SK3431 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3431-S

FEATURES

2SK3431-Z

TO-220SMD

• Super low on-state resistance:

DS(on)1

= 5.6 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 42 A)

(TO-220AB)

★

DS(on)2

= 8.9 mΩ MAX. (V = 4 V, I = 42 A)

iss

• Low C : C = 6100 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

(TO-262)

±83

Note1

Drain Current (pulse)

±332

100

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T

1.5

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Note2

★

Single Avalanche Current

I^AS

Note2

Single Avalanche Energy

E^AS

423

(TO-220SMD)

Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

1.25

83.3

°C/W

Channel to Ambient

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published March 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14600EJ1V0DS00 (1st edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999, 2000

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与2SK3431-Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3431-Z-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 40V 83A 0.0056Mohm Mp-25Z/To-220Smd, MP-25Z, /Bag
2SK3431-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 40V 83A 0.0056Mohm Mp-25Z/To-220Smd, MP-25Z, /Embossed Tape
2SK3431-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR
2SK3431-ZJ	RENESAS	获取价格	83A, 40V, 0.0089ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN
2SK3431-ZJ-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 40V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3431-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3431-ZJ-E1-AZ
2SK3431-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3431-ZJ-E2-AZ
2SK3432	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 4.0m MAX. (VGS= 10 V, ID = 42 A)
2SK3432	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3432	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor

与2SK3431-Z相关文章

意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

9
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

14
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

14
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
2024-10-08

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3431-Z

2SK3431-Z 技术参数

2SK3431-Z 数据手册

与2SK3431-Z相关器件

与2SK3431-Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3431-Z

2SK3431-Z 技术参数

2SK3431-Z 数据手册

与2SK3431-Z相关器件

与2SK3431-Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？