2SK2912

更新时间： 2024-01-20 07:13:49

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日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
10页	55K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2912 技术参数

2SK2912(L), 2SK2912(S)

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-495

1st. Edition

Features

•

Low on-resistance

R_DS= 15 mΩ typ.

•

High speed switching

4V gate drive device can be driven from 5V source

Outline

LDPAK

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2912(L)	RENESAS	获取价格	0.04ohm, POWER, FET, LDPAK-3
2SK2912(L)\|2SK2912(S)	ETC	获取价格
2SK2912(S)	RENESAS	获取价格	0.04ohm, POWER, FET, LDPAK-3
2SK2912(S)-(2)	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
2SK2912(S)TL	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK2912(S)TR	HITACHI	获取价格	40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2912L	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2912L	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2912L-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2912S	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching