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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 915 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 90 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2917(F) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK2917(Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,18A I(D),TO-247VAR |
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| 2SK2917_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic |
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| 2SK2917_09 | TOSHIBA |
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Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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| 2SK2918-01 | FUJI |
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Power MOSFET |
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| 2SK2918-01MR | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK2919 | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SK291P | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | TO-92 |
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| 2SK291-P | HITACHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK291PRF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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