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2SK2312F

更新时间： 2024-01-06 02:09:38
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 转换器稳压器电机驱动
页数 文件大小 规格书
6页 391K
描述
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications

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2SK2312F 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-65
包装说明：SC-65, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：701 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2312F 数据手册

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2SK2312  
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L −π−MOSV)  
2SK2312  
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
z 4-V gate drive  
z Low drain−source ON resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 13 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 40 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current  
z Enhancement mode  
: I  
= 100 μA (max) (V  
= 60 V)  
DSS  
DS  
: V = 0.8 to 2.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
60  
60  
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
±20  
45  
V
GSS  
DC (Note 1)  
I
A
D
Drain current  
Pulse (Note 1)  
I
180  
45  
A
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
SC-67  
2-10R1B  
Single pulse avalanche energy  
E
701  
mJ  
TOSHIBA  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
45  
4.5  
A
Weight: 1.9 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
2.78  
62.5  
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
R
th (ch−a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 25 V, T = 25°C (initial), L = 471 μH, R = 25 Ω, I = 45 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device.  
Please handle with caution.  
1
2009-09-29  
123456

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