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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-65 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1054 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2313(F) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK2313(Q) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK2313_06 | TOSHIBA |
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Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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| 2SK2313_09 | TOSHIBA |
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Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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| 2SK2314 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
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| 2SK2314(F) | TOSHIBA |
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MOSFETs N-Ch 100V 27A Rdson 0.085 Ohm |
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| 2SK2314_06 | TOSHIBA |
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Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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| 2SK2314_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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| 2SK2315 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2315 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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