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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2030TE16L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2030TE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2032 | ETC |
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| 2SK2033 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
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| 2SK2033 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK2033 | TYSEMI |
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High input impedance. Low gate threshold voltage :Vth=0.5 to 1.5V Enhancement-Mode |
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| 2SK2033(F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-59 |
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| 2SK2033_07 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
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| 2SK2033TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose |
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| 2SK2033TE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose |
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