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2SK2038

更新时间: 2024-09-26 22:52:51
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东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 202K
描述
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)

2SK2038 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:2.2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:125 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2038 数据手册

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