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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2046-TL | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2047 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 550V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2048 | ETC |
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| 2SK2048L | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK2048-L | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2048S | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK2048-S | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK2049 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK204B | ETC |
获取价格 |
MOSFETs |
|
| 2SK2050 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
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