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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 120 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2059 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2059(L) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2059(L)|2SK2059(S) | ETC |
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| 2SK2059(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2059(S)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2059(S)-(3) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2059(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2059(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
3A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2059(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2059(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
3A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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