生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SC-63 |
包装说明: | SC-63, DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.67 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 3 A | 最大漏源导通电阻: | 5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2061 | ETC |
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Power MOS FET | |
2SK2062 | ETC |
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LVX Series Power MOSFET | |
2SK2063 | SHINDENGEN |
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LVX Series Power MOSFET | |
2SK2064 | ETC |
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LVX Series Power MOSFET | |
2SK2065 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB | |
2SK2070 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING | |
2SK2070-AZ | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
2SK2071-01 | ETC |
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2SK2071-01L | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2071-01S | FUJI |
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N-channel MOS-FET |