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2SK2070-AZ

更新时间： 2024-11-26 20:11:11

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日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
6页	59K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SK2070-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	GATE PROTECTED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2070-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2070

N-CHANNEL MOS FET

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SK2070 is a N-channel MOS FET of a vertical type and

PACKAGE DIMENSIONS (in mm)

7.0 MAX.

1.2

is a switching element that can be directly driven by the output of

an IC operating at 5 V.

This product has a low ON resistance and superb switching

characteristics and is ideal for driving the actuators, such as

motors and DC/DC converters.

0.8 ±0.1

0.6 ±0.1

FEATURES

•

New package intermediate between small-signal and power

models

0.6 ±0.1

•

Can be directly driven by output of 5-V IC

Low ON resistance

R^DS(on)= 0.45 Ω MAX. @VGS = 4 V, ID = 1.0 A

RDS(on) = 0.35 Ω MAX. @VGS = 10 V, ID = 1.0 A

0.55 ±0.1

1.7 1.7

G D S

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain (D)

Internal

diode

Gate (G)

PIN CONNECTIONS

Gate

protection

diode

S: Source

D: Drain

G: Gate

Source (S)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

SYMBOL

VDSS

TEST CONDITIONS

RATING

100

UNIT

VGS = 0

VDS = 0

VGSS

±20

ID(DC)

±1.5

Drain Current (Pulse)

ID(pulse)

PW ≤ 10 ms,

±3.0

Duty cycle ≤ 50 %

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

1.0

150

˚C

Tch

Tstg

–55 to +150

Document No. D11227EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2071-01	ETC	获取价格
2SK2071-01L	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2071-01S	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2072-01	ETC	获取价格
2SK2072-01L	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2072-01S	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2073	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 15V V(BR)DSS \| 50MA I(D) \| TO-236
2SK2074	SANYO	获取价格	High-Frequency Low-Noise Amp Applications
2SK2074F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 15V V(BR)DSS \| 50MA I(D) \| SPAK
2SK2074G	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 15V V(BR)DSS \| 50MA I(D) \| SPAK