生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH VOLTAGE | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A | 最大漏极电流 (ID): | 2 A |
最大漏源导通电阻: | 6.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2071-01S | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2072-01 | ETC |
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2SK2072-01L | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2072-01S | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2073 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | TO-236 | |
2SK2074 | SANYO |
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High-Frequency Low-Noise Amp Applications | |
2SK2074F | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK | |
2SK2074G | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK | |
2SK2075 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK2076 | SANYO |
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Impedance Converter Applications |