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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2035_07 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SK2035TE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| 2SK2036 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SK2036(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-59 |
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| 2SK2036(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-59 |
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| 2SK2036_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SK2036TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose |
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| 2SK2037 | TOSHIBA |
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TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON CHANNEL TYPE |
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| 2SK2037(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
2SK2037(TE85L,F) |
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| 2SK2037_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON CHANNEL TYPE |
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