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2SK2034(T5LTOJS,F)

更新时间： 2024-09-26 21:01:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 348K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET

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2SK2034(T5LTOJS,F) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2034(T5LTOJS,F) 数据手册

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2SK2034  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
2SK2034  
High Speed Switching Applications  
Unit: mm  
Analog Switch Applications  
•
•
•
High input impedance.  
Low gate threshold voltage.: V = 0.5 to 1.5 V  
th  
Excellent switching times: t = 0.16 μs (typ.)  
on  
t
off  
= 0.15 μs (typ.)  
•
•
Small package.  
Enhancement-mode  
Marking  
Equivalent Circuit  
JEDEC  
JEITA  
―
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
SC-70  
2-2E1E  
TOSHIBA  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
Weight: 0.006 g (typ.)  
V
20  
10  
V
V
DS  
Gate-source voltage  
DC drain current  
V
GSS  
I
100  
mA  
mW  
°C  
D
Drain power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature range  
P
100  
D
ch  
stg  
T
150  
T
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note: This transistor is electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
Start of commercial production  
1992-05  
1
2014-03-01  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2034TE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si
2SK2035 TOSHIBA

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 		N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCHING APPLICATIONS)
2SK2035(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-416
2SK2035(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SSM, 2-2H1B, 3 PI
2SK2035,LF(T TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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2SK2035TE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si
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