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2SK1274

更新时间: 2024-11-20 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关小信号场效应晶体管输入元件
页数 文件大小 规格书
6页 439K
描述
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING

2SK1274 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.91Is Samacsys:N
其他特性:GATE PROTECTED, HIGH INPUT IMPEDANCE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):1.5 A
最大漏源导通电阻:1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1274 数据手册

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