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2SK1277

更新时间： 2024-02-08 17:29:40

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富士电机 - FUJI		/
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2页	208K
描述
N-Channel MOS-FET(250V, 0.12Ohm, 30A, 150W)

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技术参数
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2SK1277 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	FREDFET
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	900 ns
最大开启时间（吨）：	260 ns

2SK1277 数据手册

N-channel MOS-FET

2SK1277

F-V Series

250V 0,12W 30A 150W

> Features

> Outline Drawing

- Include Fast Recovery Diode

- High Voltage

- Low Driving Power

> Applications

- Motor Control

- Inverters

- Choppers

> Maximum Ratings and Characteristics

> Equivalent Circuit

- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified

Item

Symbol

Rating

Unit

Drain-Source-Voltage

250

Continous Drain Current

Pulsed Drain Current

120

D(puls)

Continous Reverse Drain Current

Gate-Source-Voltage

±20

Max. Power Dissipation

Operating and Storage Temperature Range

150

°C

150

-55 ~ +150

stg

Electrical Characteristics (T_C=25°C), unless otherwise specified

Item

Symbol

Test conditions

Min.

250

Typ.

3,0

Max.

Unit

I_D=1mA

V_GS=0V

V_DS=V_GS

T_ch=25°C

Drain-Source Breakdown-Voltage

Gate Threshhold Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

(BR)DSS

I_D=10mA

V_DS=250V

2,1

4,0

GS(th)

500

µA

DSS

V_GS=0V

V_GS=±20V

I_D=15A

V_DS=0V

Gate Source Leakage Current

Drain Source On-State Resistance

Forward Transconductance

Input Capacitance

0,09

100

GSS

V_GS=10V

V_DS=25V

0,12

DS(on)

I_D=15A

V_DS=25V

2400

500

280

3600

750

420

iss

V_GS=0V

f=1MHz

V_CC=150V

I_D=30A

Output Capacitance

oss

Reverse Transfer Capacitance

Turn-On-Time t_on(t_on=t_d(on)+t_r)

rss

d(on)

140

420

180

0,9

210

630

270

1,8

Turn-Off-Time t_off(t_on=t_d(off)+t_f)

V_GS=10V

R_GS=25 W

d(off)

I_F=I_DRV_GS=0V T_ch=25°C

I_F=I_DRV_GS=0V

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

100

150

-dI_F/dt=100A/µs T_ch=25°C

Thermal Characteristics

Item

Symbol

Test conditions

channel to air

Min.

Typ.

Max.

Unit

Thermal Resistance

°C/W

th(ch-a)

channel to case

0,83 °C/W

th(ch-c)

Collmer Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX -75370 - 972-233-1589 - FAX 972-233-0481 - http://www.collmer.com

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