5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1279
2SK1279 PDF预览

2SK1279

更新时间： 2024-02-23 23:24:41
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
N-channel MOS-FET

阅读下载

获取价格

2SK1279 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：FREDFET
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.58 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：125 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：840 ns
最大开启时间（吨）：195 nsBase Number Matches：1

2SK1279 数据手册

 浏览型号2SK1279的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK1279  
F-V Series  
500V 0,58W 15A 125W  
> Features  
> Outline Drawing  
- Include Fast Recovery Diode  
- High Voltage  
- Low Driving Power  
> Applications  
- Motor Control  
- Inverters  
- Choppers  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
500  
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
15  
60  
A
D
I
A
D(puls)  
Continous Reverse Drain Current  
Gate-Source-Voltage  
I
15  
A
DR  
V
±20  
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
125  
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
500  
2,1  
Typ.  
3,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
ID=10mA  
VDS=500V  
V
4,0  
V
GS(th)  
I
10  
500  
µA  
DSS  
VGS=0V  
VGS=±20V  
ID=8A  
VDS=0V  
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
10  
0,4  
100  
nA  
W
S
GSS  
VGS=10V  
VDS=25V  
R
0,58  
DS(on)  
ID=8A  
g
7
13  
fs  
VDS=25V  
C
2000  
270  
140  
30  
3000  
400  
210  
45  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=300V  
ID=15A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
d(on)  
t
100  
400  
160  
0,95  
150  
150  
600  
240  
1,8  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=25 W  
t
d(off)  
t
f
IF=IDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
SD  
t
200  
ns  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
35  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
1,0 °C/W  
th(ch-c)  
Collmer Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX -75370 - 972-233-1589 - FAX 972-233-0481 - http://www.collmer.com  
12

下载PDF

与2SK1279相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SK128 PANASONIC SI N CHANNEL JUNCTION

获取价格
2SK1280 FUJI N-Channel MOS-FET(500V, 0.5Ohm, 18A, 150W)

获取价格
2SK1282 ETC

获取价格
2SK1282-AZ RENESAS Silicon N Channel MOSFET, MP-3, /Bag

获取价格
2SK1282-Z ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR

获取价格
2SK1282-Z-E1 NEC Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, MP-3Z, SC-63, 3 PIN

获取价格

与2SK1279相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证