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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1280 | FUJI |
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N-Channel MOS-FET(500V, 0.5Ohm, 18A, 150W) |
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| 2SK1282 | ETC |
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| 2SK1282-AZ | RENESAS |
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Silicon N Channel MOSFET, MP-3, /Bag |
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| 2SK1282-Z | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SK1282-Z-E1 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
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| 2SK1282-Z-E1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK1282-Z-E2 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
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| 2SK1282-Z-T1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK1282-Z-T2 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK1283 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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