是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | MP-3Z | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.84 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A | 最大漏极电流 (ID): | 3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 20 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK1284-Z-E2-AZ | RENESAS | 暂无描述 |
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2SK1284-Z-E2-AZ11 | RENESAS | 2SK1284-Z-E2-AZ11 |
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2SK1285 | NEC | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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2SK1285-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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2SK1286 | NEC | MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
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2SK1286(0)-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-220VAR |
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