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2SK1284

更新时间： 2024-01-19 13:57:19

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	49K
描述
MOS Field Effect Power Transistor

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2SK1284 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MP-3Z	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.77	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES

2SK1284 数据手册

SMD Type

MOSFICET

MOS Field Effect Power Transistor

2SK1284

Features

TO-252

Unit: mm

Low on-state resistance

+0.15

6.50

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

R^DS(on)0.32 .@VGS=10V,ID=2A

R^DS(on)0.40 @VGS=4V,ID=2A

Low Ciss Ciss=500pF TYP.

Built-in G-S Gate Protection Diode

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current (DC)

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

V

100

V

20

3.0

A

Drain current(pulse) *

I^D

A

12

2.0

W

W

Power dissipation

T^C=25

T^A=25

P^D

1.0

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

* PW 10ms, duty cycle

5%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^DSS

I^GSS

V^GS(off)VDS=10V,ID=1mA

Testconditons

Min

Typ

Max

10

Unit

A

Drain cut-off current

VDS=100V,VGS=0

Gate leakage current

VGS= 20V,VDS=0

10

A

Gate to source cutoff voltage

Forward transfer admittance

1.0

2.4

2.5

V

VDS=10V,ID=2A

V^GS=10V,ID=2A

VGS=4.0V,ID=2A

s

Yfs

0.26 0.32

Drain to source on-state resistance

RDS(on)

0.32 0.40

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

C^rss

t^d(on)

t^r

500

160

20

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

40

55

I^D=2A,VGS(on)=10V,RL=25

,VDD=50V,RG=10

Turn-off delay time

Fall time

t^d(off)

t^f

500

120

1

www.kexin.com.cn

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1284(JM)	RENESAS	2SK1284(JM)	获取价格
2SK1284(JM)-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,3A I(D),TO-251VAR	获取价格
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2SK1284-Z-AZ	NEC	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
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