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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.37 |
| 其他特性： | GATE PROTECTED | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1282-Z | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SK1282-Z-E1 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
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| 2SK1282-Z-E1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK1282-Z-E2 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
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| 2SK1282-Z-T1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR |
|
| 2SK1282-Z-T2 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK1283 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1284 | KEXIN |
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MOS Field Effect Power Transistor |
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| 2SK1284 | TYSEMI |
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Low on-state resistance RDS(on) 0.32 .VGS=10V,ID=2A Low Ciss Ciss=500pF TYP. |
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| 2SK1284 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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