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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-63 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1284-Z-E1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK1284-Z-E1-AY | RENESAS |
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2SK1284-Z-E1-AY |
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| 2SK1284-Z-E1-AZ | RENESAS |
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2SK1284-Z-E1-AZ |
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| 2SK1284-Z-E2 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, MP-3Z, SC-63, 3 PIN |
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| 2SK1284-Z-E2-AZ | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SK1284-Z-E2-AZ11 | RENESAS |
获取价格 |
2SK1284-Z-E2-AZ11 |
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| 2SK1285 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK1285-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1286 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
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| 2SK1286(0)-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-220VAR |
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