5秒后页面跳转
2SK128D PDF预览

2SK128D

更新时间: 2024-01-01 16:41:08
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC /
页数 文件大小 规格书
1页 57K
描述
MOSFETs

2SK128D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92FET 技术:JUNCTION
JESD-609代码:e0最高工作温度:125 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.25 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2SK128D 数据手册

  

与2SK128D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1290 NEC

获取价格

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK1290-AZ NEC

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK1292 NEC

获取价格

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK1292-AZ NEC

获取价格

暂无描述
2SK1293 ETC

获取价格

2SK1293 Data Sheet | Data Sheet[07/1993]
2SK1294 ETC

获取价格

2SK1295 NEC

获取价格

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK1296 HITACHI

获取价格

Silicon N-Channel MOS FET
2SK1297 HITACHI

获取价格

Silicon N-Channel MOS FET
2SK1298 RENESAS

获取价格

Silicon N Channel MOS FET