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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1299(L) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1299(L) | RENESAS |
获取价格 |
3A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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| 2SK1299(L)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK1299(L)|2SK1299(S) | ETC |
获取价格 |
|
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| 2SK1299(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1299(S)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK1299(S)-(2) | HITACHI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK1299(S)-(3) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK1299(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK1299(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
3A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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