5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK1299(S)-(1) | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
获取价格 |
|
| 2SK1299(S)-(2) | HITACHI | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR |
获取价格 |
|
| 2SK1299(S)-(3) | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
获取价格 |
|
| 2SK1299(S)TL | HITACHI | 暂无描述 |
获取价格 |
|
| 2SK1299(S)TL | RENESAS | 3A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
获取价格 |
|
| 2SK1299(S)TR | RENESAS | 3A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
获取价格 |
|
STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
